在自动驾驶与先进驾驶辅助系统（ADAS）的领域中，半导体物理学扮演着至关重要的“幕后英雄”角色，半导体材料如硅（Si）、锗（Ge）和化合物半导体（如砷化镓GaAs、磷化铟InP）是ADAS系统中传感器如雷达、激光雷达（LiDAR）和摄像头的关键组成部分，这些材料因其独特的电学性质，如高电子迁移率、低噪声和良好的光吸收特性，使得传感器能够更精确地捕捉并处理环境数据。
半导体材料的选择与优化并非一成不变，随着技术进步，对更小、更快、更节能的半导体器件的需求日益增长，这要求我们不断探索新的材料和结构，如二维材料、拓扑绝缘体等，以提升ADAS系统的感知能力与响应速度，半导体物理学不仅是技术进步的基石，更是ADAS系统未来发展的关键所在。
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